责编:陈凯欣
2025-05-08
近日,中国科学技术大学的研究团队宣布了他们在LED技术领域取得的重要突破。该团队通过创新性的研究方法,成功解决了纯红光钙钛矿LED在亮度提升过程中效率显著下降的技术难题。
研究人员开发出一种独特的"电激发瞬态吸收光谱技术(EETA)",这一先进技术能够深入分析LED内部的电子和空穴行为。通过实验发现,空穴向电子传输层泄漏是导致纯红光钙钛矿LED性能受限的主要原因。
针对这一问题,研究团队提出了一种新型材料结构——三维钙钛矿异质结,并在钙钛矿晶格中引入有机分子。这种创新设计构建了阻止空穴逃离发光层的"屏障",有效抑制了性能下降的同时保持了材料的高导电性。
基于这一突破性成果,研究团队开发出性能指标达到国际领先水平的纯红光钙钛矿LED。其峰值外量子效率(EQE)达到了24.2%,与当前顶级有机发光二极管(OLED)水平相当;最大亮度提升至24600坎德拉/平方米,较之前水平提升了3倍。此外,该器件在高亮运行时仍保持了优异的效率稳定性,在亮度为22670坎德拉/平方米时,其EQE依然超过10%。